自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要求。伴随着制造技术进入到深亚微米时代，以SiC、GaN为代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成电路、BCD工艺在内的功率半导体技术正朝着高温、高频、低功耗、高功率容量，以及智能化、系统化、高度集成方向发展。
　　

调查报告显示，全球分立式功率晶体管市场在2012年受到整体经济形势的影响出现大幅下滑之后，2013年正在此基础上强势反弹，预计今年全球功率晶体管市场的销售额将增加7%，达到132亿美元的规模，至2017年，全球分立式功率晶体管市场的营收将每年以8.5%左右的速度成长。功率器件市场之所以能够重新步入高速发展的轨道，主要是由于在节能减排、绿色环保的新产业政策下，迫切要求对能源的利用率实现进一步的提升，功率器件作为提高能源转换效率的关键部件，将在当中发挥重要的作用。
　　
　

从采访所接触的厂商中了解到，2013年大部分功率器件厂商的出货量均比去年同期出现了大幅的增长，这一势头有望持续到今年的第四季度，并且在市场持续放量以及某些外部因素的影响下，功率器件市场出现了暂时性供货紧张的状况。
　　                        
　

需求量上涨，价格略有浮动

针对最近一段时期功率器件市场供应趋紧的情况，英飞凌科技(中国)有限公司电源管理与多元化市场部经理胡凤平分析道，主要原因来自于全球各国加大力度开发新能源、云存储以及4G通信技术，不断追求更高的能源效率，因此对功率半导体的需求量在持续攀升，导致其中一些型号的功率器件在短时间内将出现供应紧张的局面。
　　

此外，近日瑞萨(Renesas)宣布自2013年第四季开始淡出PC相关MOSFET市场，也造成了一些型号的产品在短期内呈现出供货吃紧的情形，交货期相对拉长，部分货号的价格略有上扬。
　　

据统计，瑞萨在台湾市场的占有率较高，每月约出货50~60百万颗MOSFET，此次全面退出PC市场，最大的受益者将是台湾厂商。目前富鼎先进的MOSFET、IGBT、电源IC每月出货量约为一亿五千万颗，大陆市场占公司整体营收贡献的六成左右，预期公司今年下半年的MOSFET出货量将有明显上升。
　　

市场的迅猛发展对于供应商的产能和产品可靠性都提出了更高的要求，为此，一些厂商开始致力于采用大尺寸硅芯片，通过更高端的超高密度细胞设计，使芯片更小型化且阻抗超低化，来提高功率器件的产能。例如，目前，英飞凌基于12英寸硅芯片所开发的功率MOSFET已经开始批量交货，胡凤平表示，将大尺寸硅芯片运用在功率器件的生产中，将在生产产能以及产品一致性控制上取得显著的提升。
　　

积极扩充不同电压段的产品，加强针对不同应用领域的供货能力，也是目前众多功率器件厂商的一项重要工作。台湾半导体股份有限公司市场营销经理温俊嘉介绍道，公司今年第三季的出货量预计将在第二季的基础上再增加约15%，且总体营收利润保持增长。
　　

为了进一步完善功率MOSFET产品线，台湾半导体未来的开发计划包括：针对照明设备及电源供应器等高能效、高性能的应用，规划低FOM值600V-900V的高压产品;针对大电流充放电控制、过电流中断开关，以及同步整流应用，开发一系列低导通阻抗、DFN封装、30V-80V的低压产品;以及增加P通道低压产品等。